Trina Solar inicia fabricação de painel solar com eficiência de 25,8%

Voltado para aplicações comerciais, industriais e de geração centralizada, o módulo fotovoltaico Vertex N 610W utiliza tecnologia TOPCon

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A Trina Solar iniciou a produção comercial do painel solar Vertex N 610W na fábrica de Huai'na, na China. A planta conta com capacidade produtiva de 10 GW para o equipamento, além de mais 10 GW para a fabricação de células solares n-type TOPCon.

Conforme a companhia, a placa solar utiliza wafers de silício no formato retangular de 210mm e possui eficiência de conversão de 25,8%. Os painéis ainda são compatíveis para uso com trackers e são voltados para aplicação em usinas comerciais, industriais e de geração centralizada.

O módulo fotovoltaico possui dimensões de 2382mm por 1134mm, padrão recentemente adotado em conjunto pelos principais fabricantes do setor de energia solar, conforme visto nos lançamentos da SNEC PV Power Expo, feira da indústria solar realizada em Xangai, China.

De acordo com a Trina Solar, esse formato traz uma série de vantagens, incluindo o melhor aproveitamento de espaço em contêineres de transporte.

Fabricação de células solares avança na China

Dados oficiais do governo da China apontam que a fabricação de células fotovoltaicas cresceu 63,2% entre janeiro e setembro, na comparação com o mesmo período do ano anterior, somando 384,28 GW. Somente no mês passado, o país produziu 51,4 GW, avanço de 65,4%.

Tecnologia TOPCon

TOPCon é uma abreviação de tunnel oxide passivated contact, que significa contato passivado com óxido de efeito túnel. A estrutura dessa célula consiste em uma película fina de óxido de túnel encaixado entre um óxido condutor transparente (TCO) e uma lâmina de silício cristalino tipo p.

A película age como um passivante, evitando a recombinação de portadores de carga na superfície da célula solar. A eficiência aumentada permite que o painel solar capture uma quantidade maior de energia por área.

Tipo n ou tipo p?

A dopagem é um processo químico que consiste na introdução de impurezas em um cristal de silício, permitindo uma melhor condutividade elétrica. Esse processo pode resultar em semicondutores tipo n (N-type) ou tipo p (P-type), dependendo do material utilizado.

Tipo n se refere ao silício dopado com fósforo ou arsênio.

Tipo p se refere ao silício dopado com gálio ou boro.

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Ricardo Casarin

Repórter de economia e negócios, com passagens pela grande imprensa. Formado na Universidade de Metodista de São Paulo, possui experiência em mídia impressa e digital e na cobertura de diversos setores como petróleo e gás, energia, mineração, papel e celulose, automotivo, entre outros.

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